Transistor PNP BC640 80 V 500 mA

ESPECIFICACIONES:

• Tipo FET: Canal N

• Tecnología: MOSFET (óxido de metal)

• Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60 V

• Corriente - consumo continuo (Id) a 25 C: 500 mA

• Vgs (máx.) ±20 V

• Disipación de potencia (Máx.): 830 mW

• Temperatura de funcionamiento: -55 C ~ 150 C

• Tipo de montaje: TH

• Encapsulado: TO-92-3

DOCUMENTOS:

Información Técnica

Conceptos Básicos