IRFB4110PBF MOSFET de Potencia Canal N 100V, 120A
$82.00
MOSFET de potencia de canal N de alto rendimiento, está optimizado para aplicaciones que requieren un voltaje de bloqueo robusto de 100 voltios y una resistencia en estado activo (RDS(on)) excepcionalmente baja de tan solo 4.5 miliolmios. Esta combinación minimiza las pérdidas por conducción, reduce los requisitos de disipación térmica y mejora drásticamente la eficiencia en sistemas industriales de alta potencia.
ESPECIFICACIONES:
- Tipo FET: Canal N
- Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100 V
- Corriente - consumo continuo (Id) a 25 C: 180 A
- Vgs (máx.): ±20 V
- Disipación de potencia (Máx.): 370 W
- Temperatura de funcionamiento: -55 C ~ 175 C
- Tipo de montaje: TH
- Encapsulado: TO-220-3
DOCUMENTOS:
Información Técnica
Conceptos Básicos
IDSTRN0010090
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