ESPECIFICACIONES:
-
Tipo FET: Canal N
-
Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V
-
Corriente - consumo continuo (Id) a 25 C 55 A
-
Vgs (máx.): ±16 V
-
Disipación de potencia (Máx.): 107 W
-
Temperatura de funcionamiento: -55 C ~ 175 C
-
Tipo de montaje: SMD
-
Encapsulado: DPaK
DOCUMENTOS:
IDSTRN0010110
21 Artículos
Nuevo