ESPECIFICACIONES:
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Tipo FET: Canal N
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Tecnología: Mosfet (Óxido de metal)
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Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55 V
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Corriente - consumo continúo (Id) a 25 C: 110 A
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Vgs (máx.): ±20V
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Disipación de potencia (Máx.): 200 W
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Temperatura de funcionamiento: -55 C ~ 175 C
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Tipo de montaje: TH
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Encapsulado: TO-220
DOCUMENTOS:
IDSTRN0010024
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