FGH40N60SFDTU IGBT (600V, 40A)
$142.00
Transistor IGBT de canal N, está específicamente diseñado para aplicaciones industriales de potencia que demandan perdidas mínimas por conducción y una velocidad de conmutación ultra rápida. Al ofrecer un voltaje de saturación colector-emisor notablemente bajo y una alta impedancia de entrada, optimiza al máximo la eficiencia energética en sistemas de conmutación fuerte.
ESPECIFICACIONES:
- Tipo FET: Canal N
- Tecnología: IGBT (Transistor bipolar de puerta aislada)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600 V (Voltaje Colector-Emisor Vces)
- Corriente - consumo continuo (Id) a 25 C: 80 A
- Vgs (máx.): ±20 V (Voltaje Compuerta-Emisor Vges)
- Disipación de potencia (Máx.): 290 W (A una temperatura de carcasa de 25C)
- Temperatura de funcionamiento: -55 C ~ 150 C
- Tipo de montaje: TH (Through Hole)
- Encapsulado: TO-247-3
DOCUMENTOS:
Información Técnica
Conceptos Básicos
IDSTRN0010112
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