Transistor Mosfet canal P SMD FQB11P06

ESPECIFICACIONES:

• Tipo FET: Canal P

• TECNOLOGÍA: MOSFET (óxido de metal)

• Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60 V

• Corriente - consumo continuo (Id) a 25 C: 11.4 A

• Vgs (máx.): ±25V

• Disipación de potencia (Máx.): 3.13 W, 53 W

• Temperatura de funcionamiento: -55 C ~ 175 C

• Tipo de montaje: SMD

• Encapsulado: D2PAK

DOCUMENTOS:

Información Técnica

Conceptos Básicos