IRF4905 MOSFET de Potencia Canal P -55V, -74A
$64.00
Mosfet de potencia de canal P de nivel de silicio avanzado, utiliza técnicas de procesamiento de vanguardia para lograr una resistencia en estado activo extremadamente baja por área de silicio. Esto se traduce en una alta eficiencia térmica y una capacidad de conmutación de velocidad ultra alta para aplicaciones industriales y automotrices exigentes.
ESPECIFICACIONES:
- Voltaje - Drenaje fuente (Máx.): 55 V
- Corriente - Drenaje (Id) (Máx.): 74 A
- Potencia – Máx.: 200 W
- Temperatura de funcionamiento: -55 C ~ 175 C
- Tipo de montaje: TH (Through Hole)
- Encapsulado: TO-220AB
DOCUMENTOS:
Información Técnica
Conceptos Básicos
IDSTRN0010082
6 Artículos
Nuevo
Productos más vistos
16 otros productos de la misma categoría:
Mosfet de potencia de canal P de nivel de silicio avanzado, utiliza técnicas de procesamiento de vanguardia para lograr una resistencia en estado activo extremadamente baja por área de silicio. Esto se traduce en una alta eficiencia térmica y una capacidad de conmutación de velocidad ultra alta para aplicaciones industriales y automotrices exigentes.