ESPECIFICACIONES:
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Tipo de transistor: NPN
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Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 500 mA
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Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.): 45 V
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Potencia - Máx.: 200 mW
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Temperatura de funcionamiento: 150 C
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Tipo de montaje: SMD
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Encapsulado: TO-236AB
DOCUMENTOS:
IDSTRN0010037
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