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Transistor de compuerta aislada (IGBT) de alta velocidad. Este semiconductor ofrece una caída de voltaje en estado activo extremadamente baja y un rendimiento de conmutación rápido. Incorpora un diodo antiparalelo de recuperación ultra-rápida en el mismo encapsulado, lo que lo hace ideal para optimizar el espacio y la eficiencia en circuitos de potencia.