IKW25N120CS7 Transistor IGBT (1200V, 25A)
$148.00
Transistor IGBT discreto de canal N, está diseñado específicamente para abordar los exigentes requerimientos de los inversores industriales de alta tensión, convertidores de frecuencia y sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS). Su estructura Trench Field Stop de tecnología avanzada logra un voltaje de saturación colector-emisor excepcionalmente bajo, reduciendo sustancialmente tanto las pérdidas por conducción como las pérdidas por conmutación dinámica.
ESPECIFICACIONES:
- Tipo FET: Canal N
- Tecnología: IGBT (Transistor bipolar de puerta aislada)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200 V
- Corriente - consumo continuo (Id) a 25 C: 55 A
- Vgs (máx.): ±20 V
- Disipación de potencia (Máx.): 250 W
- Temperatura de funcionamiento: -55 C ~ 175 C
- Tipo de montaje: TH
- Encapsulado: TO-247-3
DOCUMENTOS:
Información Técnica
Conceptos Básicos
IDSTRN0010116
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