Transistor MOSFET NTD4909NT4G Canal N 30 V 41 A

ESPECIFICACIONES:

• Tipo FET: Canal  N

• Tecnología: MOSFET (óxido de metal)

• Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V

• Corriente - consumo continuo (Id) a 25 C: 8.8 A

• Vgs (máx.): ±20 V

• Disipación de potencia (Máx.): 1.37 W

• Temperatura de funcionamiento: -55 C ~ 175 C

• Tipo de montaje: SMD

• Encapsulado: DPAK

DOCUMENTOS:

Información Técnica

Conceptos Básicos