ESPECIFICACIONES:
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Tipo FET: Canal P
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Tecnología: Mosfet (Óxido de metal)
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Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60 V
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Corriente - consumo continuo (Id) a 25 C: 27 A
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Vgs (máx.): ±25 V
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Disipación de potencia (Máx.): 3.75 W
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Temperatura de funcionamiento: -55 C ~ 175 C
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Tipo de montaje: SMD
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Encapsulado: D2PAK (TO-263)
DOCUMENTOS:
IDSTRN0010034
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