IRF840 Mosfet Canal N 500 V 8A

ESPECIFICACIONES:

• Tipo FET: Canal N

• Tecnología: Mosfet (Óxido de metal)

• Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500 V

• Corriente - consumo continuo (Id) a 25 C: 8 A

• Vgs (máx.): ±20 V

• Disipación de potencia (Máx.): 125 W

• Temperatura de funcionamiento: -55 C ~ 150 C

• Tipo de montaje: TH

• Encapsulado: TO-220AB

DOCUMENTOS:

Información Técnica

Conceptos Básicos