MOSFET Transistor FQP7P06 CANAL P

ESPECIFICACIONES:

• Tipo FET: Canal P

• Tecnología: MOSFET (óxido de metal)

• Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60 V

• Corriente - consumo continuo (Id) a 25 C: 7 A

• Vgs (máx.): ±25 V

• Disipación de potencia (Máx.): 45 W

• Temperatura de funcionamiento: -55 C ~ 175 C 

• Tipo de montaje: TH

• Encapsulado: TO-220-3

DOCUMENTOS:

Información Técnica

Conceptos Básicos