Transistor IGBT STGF30M65DF2 650V 30A

ESPECIFICACIONES:

• Modelo: STGF30M65DF2
• Tipo: Transistor IGBT
• Voltaje colector-emisor (VCES): 650 V
• Corriente máxima: 30 A
• Tecnología: Field Stop Trench Gate
• Encapsulado: TO-220FP
• Alta velocidad de conmutación
• Baja disipación de potencia
• Montaje: Through Hole

PRECAUCIONES:

• Utilizar disipador térmico en aplicaciones de alta potencia
• Evitar descargas electrostáticas (ESD) durante manipulación
• No exceder el voltaje o corriente máxima especificada
• Verificar correcta orientación de terminales antes de soldar
• Recomendable usar pasta térmica para mejorar disipación