Transistor NPN S8050 Th

ESPECIFICACIONES:

• Transistor Bipolar (BJT) NPN

• Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio
  

• IC: 500 mA

• PD: 625 mW

• VCEO: 25 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V

• hFE: 160 a 300 (Ranking D)
  

• FT: 150 MHz mínimo

• VCE(sat): 0.6 V max.

• Encapsulado: TO-92

DOCUMENTOS:

Información Técnica

Conceptos Básicos