IRF8707 PBF

ESPECIFICACIONES:

• Tipo FET: Canal N

• Tecnología: MOSFET (óxido de metal)

• Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V

• Corriente - consumo continuo (Id) a 25 C: 11 A

• Vgs (máx.): ±20 V

• Disipación de potencia (Máx.): 2.5 W

• Temperatura de funcionamiento: -55 C ~ 150 C

• Tipo de montaje: SMD

• Encapsulado: 8-SOIC

DOCUMENTOS:

Información Técnica

Conceptos Básicos