Transistor IRF520PBF Mosfet TO220 CH N 100 V 9.2 A

ESPECIFICACIONES:

• Polaridad del transistor: Canal N

• Voltaje de drenaje a fuente VDS: 100 V

• Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V

• Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 9.2 A

• Corriente de drenaje pulsada IDP: 37 A

• Corriente de avalancha IAR: 9.2 A

• Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 60 W

• Resistencia de activación RDS (on) máxima: 0.27 Ohms

• Temperatura de operación mínima: -55 C

• Temperatura de operación máxima: 175 C

• Encapsulado: TO-220

DOCUMENTOS:

Información Técnica