- Agotado
Transistor IGBT 600V 4A IKP04N60T (K04T60)
$36.00
El IKP04N60T es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de alto rendimiento, diseñado por Infineon technologies. Este semiconductor combina la alta eficiencia y velocidad de conmutación de un MOSFET con las bajas pérdidas de conducción de un transistor bipolar tradicional.
- Especificaciones:
- Tipo de componente: IGBT con diodo antiparalelo integrado
- Tecnología: TRENCHSTOP™ / Fieldstop
- Voltaje Colector-Emisor Máximo (Vces): 600 V
- Corriente de Colector Continua (Ic): 4 A (a 100°C) / 8 A (a 25°C)
- Voltaje de Saturación Colector-Emisor (Vce sat): 1.5 V (típico)
- Encapsulado: TO-220-3 (PG-TO-220-3)
- Tipo de montaje: Through-Hole (Agujero pasante)
- Temperatura de operación máxima (Tj): 175 °C
- Tiempo de apagado (Fall Time): Conmutación de alta velocidad
IDSTRN0010148
16 otros productos de la misma categoría:
El IKP04N60T es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de alto rendimiento, diseñado por Infineon technologies. Este semiconductor combina la alta eficiencia y velocidad de conmutación de un MOSFET con las bajas pérdidas de conducción de un transistor bipolar tradicional.